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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
53
左右 -61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
33
读取速度,GB/s
3,726.4
11.0
写入速度,GB/s
1,590.1
8.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2200
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB RAM的比较
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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