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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
比较
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
总分
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
24.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
56
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
19.9
1,925.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
27
读取速度,GB/s
4,315.2
24.7
写入速度,GB/s
1,925.7
19.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
658
4174
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
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UMAX Technology 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
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