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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Inmos + 256MB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Inmos + 256MB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Inmos + 256MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 -27% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
16800
12800
左右 1.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Inmos + 256MB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
30
读取速度,GB/s
16.7
11.5
写入速度,GB/s
10.0
9.1
内存带宽,mbps
12800
16800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
2753
2318
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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