RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
47
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
16.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
3187
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link