RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
47
Rund um -47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
3385
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link