RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
47
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
3199
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link