RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
47
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3199
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link