RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
47
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
3017
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link