RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
47
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
38
Velocità di lettura, GB/s
11.8
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
3017
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link