RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
47
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.7
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.7
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
20.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
17.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
4048
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link