RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
47
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
3083
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link