RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
47
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
3083
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston 99U5428-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link