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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
47
左右 -114% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
22
读取速度,GB/s
11.8
17.5
写入速度,GB/s
8.0
12.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3083
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
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