RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
50
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
2326
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link