RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
50
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
50
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2326
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link