RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
50
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2326
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link