RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
54
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
50
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2326
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link