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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
54
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.5
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
50
读取速度,GB/s
9.2
12.5
写入速度,GB/s
8.1
7.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2326
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kllisre 0000 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
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