RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
47
Rund um -88% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
6.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
1617
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1866 CL9 8GB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link