RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
47
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
1617
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link