Comparación de la memoria RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

24 73

En 67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

16 15.1

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.5 7.9

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2925 1724

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns