RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
73
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
73
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1724
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link