RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
73
87
Около -19% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
73
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
870.4
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
1724
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link