RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
73
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
73
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
15.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
1724
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston KHX2666C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link