RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
50
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
45
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
10.0
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2414
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link