RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
87
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
73
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
1724
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston KHX16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link