RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
73
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
73
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1724
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link