RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
51
En -113% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
24
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2370
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link