RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2370
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link