RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2370
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link