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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
47
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
2835
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
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