RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
47
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
2648
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link