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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
11.8
15.3
写入速度,GB/s
8.0
11.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2648
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
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Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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