RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
47
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
2140
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link