RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
44
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
11.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2193
2468
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link