RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
44
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2193
2468
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link