RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
35
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
4.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.4
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.5
10.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1310
2759
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link