RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
42
Rund um -147% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.8
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.8
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
20.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
16.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1933
3623
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link