RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
42
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
12
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
6.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1933
1338
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link