RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Comparez
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Note globale
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Note globale
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.2
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
42
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
12
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1933
1338
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link