RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
42
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1933
3147
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1333 CL9 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link