RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
45
Rund um -73% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
4084
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link