RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
4084
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link