RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
69
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3547
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link