RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3784
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link