RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
42
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
3784
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link