RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
69
Autour de -165% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3547
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link