RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
69
Rund um -165% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
14.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
3547
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link