RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
30
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
3119
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link