RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
56
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
56
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2071
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teclast TLD416G26A30 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link