RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
56
Por volta de 50% menor latência
Razões a considerar
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
56
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
9.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2071
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link